フリーライター/エディター 大内 孝子
主に技術系の書籍を中心に企画・編集に携わる。2013年よりフリーランスで活動をはじめる。IT関連の技術・トピックから、デバイス、ツールキット、デジタルファブまで幅広く執筆活動を行う。makezine.jpにてハードウェアスタートアップ関連のインタビューを、livedoorニュースにてニュースコラムを好評連載中。CodeIQ MAGAZINEにも寄稿。著書に『ハッカソンの作り方』(BNN新社)、共編著に『オウンドメディアのつくりかた』(BNN新社)および『エンジニアのためのデザイン思考入門』(翔泳社)がある。
コンピューターの登場以来、CPUが必要とする記憶デバイスは、キャッシュ/メインメモリ/ストレージというように階層化され、用途・製品が整理されてきた。このメモリアーキテクチャに、新たな用途(階層)として登場したのが「ストレージクラスメモリ(SCM:Storage Class Memory)」だ。具体的にはインテルとMicron Technologyが共同開発した「3D XPoint」やサムスンの「Z-NAND」などの製品に注目が集まっている。メインメモリとストレージの性能差を吸収するレイヤーとして位置づけられるストレージクラスメモリだが、そもそもどのような仕組みで、従来のメモリやストレージとどのように異なるのか。この記事で基礎からひも解いていきたい。