次世代半導体の国産化を目指し、北海道千歳市に工場を建設中のラピダス（東京）は１８日、極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置を初めて搬入し、設置作業を開始したと発表した。同装置は半導体回路の微細化に不可欠で、来年４月の試作ライン稼働に向けた準備は最終段階に入った。

装置は長さ１０．３メートル、幅３．２メートル、高さ３．４メートルで、重さは７１トン。搬入する個数は非公表とした。年内に作業を終える予定。

記念式典でラピダスの小池淳義社長は、搬入により「試作ラインもスタートでき、大きな第一歩」と話した。また、建屋も約８８％完成しており、進捗（しんちょく）状況は順調だと強調した。

【時事通信社】 〔写真説明〕ラピダス工場に極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置が搬入されたことを記念する式典で撮影に応じるラピダスの小池淳義社長（左から３人目）ら＝１８日午後、北海道千歳市