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ストレージの世界では、不揮発性メモリによって構成されたフラッシュストレージの登場によって技術的にも市場的にも大きな変革が起こりました。かつて主流だったハードディスクドライブを基盤とした技術や製品は、すでに時代遅れなものになりつつあります。それと同じような大きな変化が、今度はメモリの分野で起きようとしています。不揮発性メモリを大容量メインメモリに用いる、いわゆる「ストレージクラスメモリ」の実現です。
新野淳一(本記事は「Publickey」より転載)
新野淳一(本記事は「Publickey」より転載)
ITジャーナリスト/Publickeyブロガー。大学でUNIXを学び、株式会社アスキーに入社。データベースのテクニカルサポート、月刊アスキーNT編集部 副編集長などを経て1998年退社、フリーランスライターに。2000年、株式会社アットマーク・アイティ設立に参画、オンラインメディア部門の役員として2007年にIPOを実現、2008年に退社。再びフリーランスとして独立し、2009年にブログメディアPublickeyを開始。現在に至る。
米インテルは4月2日、イベント「
Data-Centric Innovation Day」を開催。DRAMと同じDDR4スロットにさせる不揮発性メモリ「Intel Optane DCパーシステント・メモリ」と、これに対応した新しいXeonプロセッサ「第二世代インテル Xeon スケーラブル・プロセッサー」の一般販売を開始したことを
発表しました。
Intel Optane DCパーシステント・メモリは、インテルとマイクロンが開発した不揮発性メモリ「3D XPoint」(スリーディークロスポイント)が使われています。
3D XPointは、DRAMとは異なり電源が失われても保持しているデータが消えない不揮発性メモリであること、しかもDRAMよりもアクセス速度はやや遅いながらもNAND型フラッシュメモリよりも大幅に高速である、といった技術的特徴を備えています。
Intel Optane DCパーシステント・メモリは、ストレージよりもさらにCPUに近いメモリバスに、NANDフラッシュよりも高速な不揮発性メモリを接続することになるため、フラッシュストレージよりも圧倒的に高速に読み書きでき、しかもストレージのように書き込んだデータは電源が落ちても消えない(=不揮発)という、メモリとストレージのいいとこ取りをした記憶媒体、すなわち「ストレージクラスメモリ」が実現できます。
これまでストレージにデータやログを書き込んでいたデータベースソフトウェアなどは、Intel Optane DCパーシステント・メモリを用いることで劇的な高速化とインメモリデータベースの大容量化が可能になるのです。
容量あたりの価格はDRAM以下
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