日本ガイシは７日、パワー半導体搭載部品向けの窒化ケイ素性のセラミック基板を用いた絶縁放熱回路基板の生産能力を増強するため、製造子会社のＮＧＫセラミックデバイス（愛知県小牧市）とＮＧＫエレクトロデバイスマレーシアに約５０億円を投資すると発表した。２０２６年度の生産量を現在の２．５倍にすることを目指す。