エルピーダと独キマンダ、次世代型DRAMの共同開発で提携

　エルピーダとキマンダは技術を提供しあい、次世代型4F2セルを適用したDRAM製品の開発ロードマップを加速させる。エルピーダは、キマンダの埋め込み型ワード線（buried wordline）技術のノウハウを受け、一方、キマンダはエルピーダの最先端スタックキャパシタ技術を提供する。競争が激しい業界での生き残りを図る。

　「エルピーダとの戦略的提携関係は当社の革新的な埋め込み型ワード線技術にとって非常に大きな貢献となる」キマンダ 社長兼CEO キンワー・ロー氏は、今回の提携をこう歓迎する。「キマンダは小型の4F2セルの導入を大幅に早めることで、この提携関係を一層強化する」「DRAM業界のイノベーターである大手2社が技術提携することで、スケールメリットによるR&Dの効率化や将来的な共同生産の可能性も見出せます」と語る。

　エルピーダは、2008年3月期決算で上場以来初の営業赤字となり、同社坂本幸雄社長は、黒字化するまで報酬を5割カットすると発表したばかり。同氏は、今回の提携で、「エルピーダはこれまでの研究開発成果により、DRAMテクノロジーをリードしてきました。しかしながら、この激しい競争の中ではよりスピーディに、効率的な技術開発を進めることが必須となります」「この度、キマンダと合意した共同開発プログラムは、エルピーダのテクノロジーリーダーシップ、またDRAMマーケットにおけるナンバー1への道を確実にするものと確信しています」と語っている。

　両社は、共同開発する革新的な4F2セルを2010年頃の40nm世代から導入し、さらに30nm世代へと展開する計画だという。