日立製作所中央研究所（所長：福永　泰／以下、日立）は、このたび、０．１５ｍｍ角、厚さ７．５μｍ（マイクロメートル）＊１の世界最小、最薄の非接触型ＩＣチップを開発し、動作確認に成功した。
　開発したチップは、日立が事業展開を進めている０．４ｍｍ角の「ミューチップ」＊２と同等の動作機能を保ちつつ、小型化したもの。本チップはＳＯＩ技術＊３を採用しており、従来のシリコン基板の代わりに絶縁層の埋め込まれたＳＯＩ基板を利用することで、素子の間隔を縮小し、日立が２００３年２月に開発を発表した０．３ｍｍ角、厚さ６０μｍのＩＣチップ（以下、０．３ｍｍ角のＩＣチップ）＊４と比較し、面積を４分の１と小型化しています。また、チップを薄くする加工技術の開発により、０．３ｍｍ角のＩＣチップと比較し、厚みを８分の１と薄型化を同時に実現している。今回の大幅な小型化により、ウエハ一枚あたりから取れるチップの枚数が増加し、０．３ｍｍ角のＩＣチップと比較すると４倍以上、現在販売している「ミューチップ」と比較すると１０倍程度の生産性向上が見込める。本技術は、非接触型ＩＣチップの新たな適用分野を拓く技術として期待されている。

　「ミューチップ」は、チップの外部アンテナで電波（２．４５ＧＨｚのマイクロ波）を受信し、それをエネルギーに代えて、１２８ビット（１０進法で３８桁）の固有の番号を無線送信する、世界最小クラスの非接触型ＩＣチップである。製造工程で、データをＲＯＭ（読み取り専用メモリ）に書き込むことから、番号の書き換えができず、高い真正性が保証される。２００５年３月２５日～９月２５日に開催された「愛・地球博」では、入場券に採用され、延べ約２，２０５万の利用件数のうち、入場ゲートで読み取りできなかったものは１００万分の１０数枚程度、偽造券の発生件数は０件と、高信頼のＩＣチップとしての実績を有している。こうした小型、高真正性、非接触などのメリットを活かすと共に、インターネット技術と結び付けることで、セキュリティや交通、アミューズメント、トレーサビリティ、物流管理など多方面の分野での活用が可能である。

　日立では、「ミューチップ」のさらなる応用分野の拡大を目指し、その特長を維持したまま、通信距離拡大や、アンテナサイズの小型化などに取り組んできた。本チップは、小型、薄型であることから、商品券などの有価証券や各種証明書など、より幅広い用途への適用が可能となる。また、０．３ｍｍ角のＩＣチップ同様、チップの両面に電極をもつ両面電極チップ構造を採用しているため、小型化にもかかわらず、外部アンテナとの接続が容易となり、生産性の向上につなげることが可能だという。

■開発したＩＣチップの特長
（１）ＳＯＩ技術を適用し、世界最小となる小型化に成功：
　従来、高周波回路素子の周辺は、素子間での干渉による誤動作を防ぐため、幅の広い素子分離帯が必要だった。今回、ＳＯＩプロセスを用いて素子の周辺を絶縁層で囲み、素子同士が隣接しても相互に信号が干渉するのを防ぎ、より小さなスペースへの高集積化を実現している。

（２）ＳＯＩ技術によりチップの薄型化が可能に：
　回路が形成されたＳＯＩ基板の背面からシリコン層を削る加工をする際に、シリコン層を完全に除去することにより、薄型化を実現している。
　なお、本成果は、２月５日から米国サンフランシスコで開催中の「国際固体素子回路会議（ＩＳＳＣＣ：Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａｔｅ　Ｃｉｒｃｕｉｔｓ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）」において発表する予定である。

＊１　１μｍは１０００分の１ｍｍ
＊２　「ミューチップ」は株式会社日立製作所の登録商標です。
＊３　ＳＯＩ技術：ＳＯＩとは、Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒの略。トランジスタの性能効率を高める観点から注目されている新しい製造プロセス技術。通常の製造プロセスでは、シリコン基板上に直接トランジスタを形成していましたが、ＳＯＩプロセスではシリコン基板上にまず絶縁層と単結晶シリコン層を形成（これをＳＯＩ基板という）し、このＳＯＩ基板上にトランジスタを形成します。通常プロセスに比べて、寄生容量やリーク電流が大幅に削減されるため、トランジスタの性能が向上します。
＊４　ＩＳＳＣＣ２００３で報告した０．３ｍｍ角、厚さ６０μｍの両面電極型ＩＣチップ。量産中の製品とは異なります。