産総研、従来の1/1000の超低消費電力メモリ素子「RRAM」の開発に成功

　独立行政法人 産業技術総合研究所（産総研）のナノテクノロジー研究部門は26日、シャープと共同で、低消費電力、高速動作の性能を兼ね備えた不揮発性の抵抗変化メモリー素子RRAM(Resistance Random Access Memory)の開発に成功したと発表した。

　これまでもRRAMは次世代超大容量メモリー候補として期待されていたが、今回、メモリの実用化に必須である低消費電力、高速動作が実証されたことで、実用化に向けた途が拓かれた。既存のメモリーであるNOR型フラッシュメモリと比較して、ビットあたりで1000分の1以下の消費電力にて動作する。

　貴金属電極など高価な部材や特殊な取り扱いを必要とする原料も用いていないことから、開発したRRAMはビットコスト競争力に優れるだけでなく、省エネルギー・省資源も実現するメモリだという。

　今後、情報・エレクトロニクス分野において、省エネルギーの鍵としての利用を見込む。