東芝と米IBM、半導体の研究開発で協業強化

　IBMと東芝は、2005年12月から、米国ニューヨークにある研究施設において、32nm以降の半導体プロセス技術の基礎研究を共同で進めてきた。今回の合意で、これまでの基礎研究の成果を基に、共同開発対象を32nm世代のバルクCMOSプロセス技術まで広げるという。

　東芝は、現在IBMとそのパートナー企業、合わせて6社が米国ニューヨークで行っている32nmバルクCMOSプロセス技術の共同開発のアライアンスに加わる。また、同時に東芝は、横浜で行っている開発について、「東芝は、東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜）で行う32nm世代の量産化に向けたプロセス開発を加速していき、最先端デバイスの早期量産化を目指す」（東芝 執行役員上席常務 齋藤昇三氏は）と語る。今後両社は、32nm世代の高性能、低消費電力チップの実現に向けた技術開発を加速し、半導体業界におけるリーディングカンパニーを目指すとしている。

　IBM 半導体研究開発センター担当バイス・プレジデントのゲーリー・パットン氏は、「今回の合意は、IBMおよびアライアンス・パートナー企業にとって非常に弾みのついた一年を締めくくるものです。2008年も引き続き、ニューヨーク州立大学アルバニー校のアルバニー・ナノテクなど世界レベルの研究開発施設へのアクセスを含むオープンな環境で協同して取り組んでいる優秀なエンジニアや半導体研究開発の専門家がもたらす業界や生産技術にとって画期的な成果を共に出していきます」。