STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN(R)」に、最大45Wのアプリケーション向けの「MasterGaN3（*）」および最大150W向けの「MasterGaN5」を追加しました。これらの製品は、高効率の電力変換を実現するワイド・バンドギャップ半導体への移行を簡略化します。

　65W～400Wまでのアプリケーションを対象とするMasterGaN1、MasterGaN2、およびMasterGaN4に加え、MasterGaN3およびMasterGaN5が追加されたことで、スイッチング電源、充電器、アダプタ、高電圧の力率改善回路（PFC）、DC-DCコンバータなどの設計において、最適なGaN製品およびドライバ・ソリューションをより柔軟に選択することができます。

　MasterGaNは、従来のシリコンMOSFETからワイド・バンドギャップ半導体であるGaN技術への移行を簡略化します。2つの650V耐圧GaNパワー・トランジスタ、最適化された高電圧ゲート・ドライバ、および安全性を向上させる保護回路を集積しているため、ゲート・ドライバや回路レイアウトの設計における課題解決に貢献します。また、GaNトランジスタの高いスイッチング周波数により、シリコン・ベースの設計と比較して電源を最大80%小型化できると共に、きわめて優れた堅牢性と信頼性を実現します。

　MasterGaN3に搭載された2つの非対称型GaNトランジスタは、それぞれオン抵抗（Rds（on））が225mΩと450mΩで、ソフト・スイッチングや動的整流コンバータに適しています。MasterGaN5に搭載された2つのGaNトランジスタのオン抵抗はいずれも450mΩで、LLC共振やアクティブ・クランプ・フライバックなどのトポロジに適しています。

　その他のMasterGaN製品と同様に、両製品のロジック入力は3.3V～15Vの信号と互換性があるため、マイクロコントローラやDSPユニット、FPGAなどのコントローラ、およびホール・センサといった外付け部品に簡単に接続可能です。また、ローサイドおよびハイサイドの減電圧ロックアウト（UVLO）、ゲート・ドライバのインターロック、過熱保護、シャットダウン端子などの保護機能を内蔵しています。