東芝デバイス＆ストレージ、1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETを発売

当社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド（SiC）を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン（Si）MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。

新製品は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザイン［注1］を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。

1200V耐圧Si絶縁ゲート型バイポーラートランジスター（IGBT） の当社従来製品「GT40QR21」と比べて［注2］、ターンオフスイッチング損失を約80%、スイッチング時間（下降時間）を約70%低減するとともに、20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を有しています。

また、ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作（誤点弧）しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード（SBD）を内蔵したことで、電力損失を低減します。

産業機器向け大容量AC-DCコンバーター、太陽光インバーター、大容量双方向DC-DCコンバーターなど電力機器の高効率化（電力損失低減）と小型化に貢献します。

［注1］当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」（2020年7月30日）

［注2］周囲温度25℃

■応用機器

・大容量AC-DCコンバーター

・太陽光インバーター

・大容量双方向DC-DCコンバーター