次世代半導体の国産化を目指すラピダス（東京）は４日、半導体を最終製品に仕上げる「後工程」分野の技術開発について、米ＩＢＭと提携したと発表した。最先端の回路線幅２ナノメートル（ナノは１０億分の１）半導体の量産に向け、準備を加速させる。

両社は既に先端半導体の共同開発など「前工程」分野で提携している。ラピダスは複数の半導体チップを組み合わせる技術「チップレット」などを確立し、前工程から後工程まで一貫して手掛けることで納期短縮につなげたい考えだ。

【時事通信社】