• 15:00 | 15:05

  開会挨拶

  講演内容

  GaN（窒化ガリウム）とSiC（炭化ケイ素）は、パワーエレクトロニクスの未来を切り開く重要な技術です。
  本セッションでは、これらの技術の基本からインフィニオン社のラインアップ、採用が期待されるアプリケーションまでを分かりやすく解説いたします。

  登壇者

  東京エレクトロン デバイス株式会社
  インダストリアルソリューション カンパニー INプロダクト2部

  清家 茂

  15:05 | 15:25

  インフィニオン社 GaN製品：CoolGaN™のご紹介

  講演内容

  インフィニオン社より、GaN（窒化ガリウム）の構造や特徴、既存製品との比較におけるメリット、そして最新の技術動向について詳しく解説します。GaNの基本的な知識や使用方法、さらに実際に購入可能なインフィニオン社の製品ポートフォリオをご紹介します。

  登壇者

  インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社
  C3事業本部 マーケティング部 パワーシステムズ

  岩田 和隆

  15:25 | 15:40

  インフィニオン社 SiC製品： CoolSiC™のご紹介

  講演内容

  インフィニオンは、過去30年間で培ったパワー半導体の研究開発および量産のノウハウに基づいた革新的なSiC製品(CoolSiC™)を提供しています。
  本セッションではCoolSiC™の構造や特徴と共に最新の技術動向について幅広く解説します。
  SiCの基礎から応用までを理解するための具体的な事例や応用方法を紹介し、実際の設計に役立つ情報を提供します。

  登壇者

  東京エレクトロン デバイス株式会社
  EC技術本部

  15:40 | 15:50

  質疑応答

※プログラム、タイトルは、予告なく変更される場合があります。